NCE01H11参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻低、良好的散热、特殊工艺技术，高ESD能力
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电压VDS
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100V
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电压VGS
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10V
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电阻R DS(ON)
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<9mΩ
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电流I D
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110A
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封装
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TO-220-3L
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代换型号
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NCE01H11概述
NCE01H11采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。
NCE01H11引脚图/引脚功能
NCE01H11典型应用电路图
NCE01H11应用领域
● 电源开关的应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
