NCE1540D参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET分立器件
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产品特性
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低FOM、抗静电能力、符合ROHS标准
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输入电压
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150V
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输出电压
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12V
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电位差
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150W
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超低内阻
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35mΩ
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输出电流
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40A
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精准性
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±2%
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封装
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TO-263
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代换型号
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/
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NCE1540D概述
NCE1540D使用先进的沟槽技术和设计提供优秀的RDS门费用较低。它可以用在各种各样的应用程序。作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商，新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至200V，配合最先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理。通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的领先水平。
NCE1540D引脚图/引脚功能
NCE1540D典型应用电路图
NCE1540D应用领域
● 各类锂电池保护模块
● 手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理
● LED TV等消费类电子产品电源
● 电动交通工具控制器
● 不间断电源，逆变器和各类电力电源
● LED照明
