NCE60R1K2D参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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N沟道超级结MOSFET功率
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Vds-漏源极击穿电压
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600V
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Id-连续漏极电流
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4A
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Pd-功率耗散
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46W
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Vgs-栅源极击穿电压
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30V
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Rds On-漏源导通电阻
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1000mΩ
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封装
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TO-263
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代换型号
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/
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NCE60R1K2D概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。这种超结MOSFET符合业界对PFC，AC / DC电源转换，以及工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
NCE60R1K2D引脚图/引脚功能
NCE60R1K2D典型应用电路图
NCE60R1K2D典型效率曲线
应用领域
• 功率因素校正
• 开关模式电源与供应
• 持续电源供应
