NCE65R1K2D参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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超级结型场效应晶体管
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产品特性
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低导通电阻和低传导损失、符合ROHS标准
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输入电压
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Max 650V
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输出电压
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Max 30V
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电位差
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46W
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超低内阻
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1000mΩ
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输出电流
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4A
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精准性
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±2%/
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封装
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TO-263
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代换型号
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/
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NCE65R1K2D概述
NCE65R1K2D的一系列设备使用先进的超级连接技术和设计提供优秀的RDS门费用较低。这超级结MOSFET适合该行业的PFC交直流smp要求,交流/直流电源转换,和工业强国的应用程序。该系列设备的使用先进的超级连接技术和设计提供优秀的RDS(上)较低门负责。这个超级结MOSFET符合该行业的交直流两用smp PFC的要求,交流/直流电源转换和工业强国的应用程序。利用先进的电荷平衡技术，新洁能全新推出第二代超结MOSFET系列产品，在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。我们为电路设计师提供600V-900V，4A-20A的多样电压-电流选择，同时，也为您带来SOP-8至TO-247的不同功率选择，实现占用更少的电路板空间并提高可靠性。
NCE65R1K2D引脚图/引脚功能
NCE65R1K2D典型应用电路图
NCE65R1K2D应用领域
● 电脑、服务器的电源
● 适配器（笔记本电脑，打印机）
● 照明（HID/LED照明，工业照明，道路照明的）
● 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视）
● 功率因数校正(PFC)
● 开关模式电源(smp)
● 不间断电源(UPS) 
