NCE65R900L参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
650V SJ-MOS Ⅱ |
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漏源极击穿电压（最大） |
650V |
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连续漏极电流（最大） |
5A |
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功率耗散（最大） |
49W |
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栅源极击穿电压 |
30V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
780mΩ |
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漏源导通电阻最大(10V) |
900mΩ |
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封装 |
TO251S |
NCE65R900L概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。这种超结MOSFET符合业界的AC-DC SMPS的要求PFC，AC / DC电源转换，以及工业电源应用。
