NCE65R540D参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道超结功率MOSFETⅡ |
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漏源极击穿电压（最大） |
650V |
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连续漏极电流（最大） |
8A |
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功率耗散（最大） |
80W |
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栅源极击穿电压 |
30V |
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漏源导通电阻最大(10V) |
540mΩ |
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封装 |
TO263 |
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代换型号 |
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NCE65R540D概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业AC-DC开关电源为PFC，AC / DC电源的要求转换，以及工业电源应用。
NCE65R540D引脚图/引脚功能
应用领域
• 功率因数校正（PFC）
• 开关电源（SMPS）
• 不间断电源供应（UPS）
NCE65R540D典型效率曲线
