当前位置: 首页 » 产品中心 » 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET

NCE65R540D

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO-263

【下载】: PDF文档下载

分享到:
询价提示

1、24小时内快速提供报价

2、提交询价后立即发送确认邮件

3、登录我的询价实时查看处理情况

阶梯价格

购买数量大于最大阶梯数量,建议询价获得更优惠价格!

询 价

制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO-263 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 650V SJ-MOS Ⅱ

NCE65R540D参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道超结功率MOSFETⅡ

漏源极击穿电压(最大)

650V

连续漏极电流(最大)

8A

功率耗散(最大)

80W

栅源极击穿电压

30V

漏源导通电阻最大(10V)

540mΩ

封装

TO263

代换型号

\


NCE65R540D概述


该系列器件采用先进的超结技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业AC-DC开关电源为PFC,AC / DC电源的要求转换,以及工业电源应用。


NCE65R540D引脚图/引脚功能


新洁能NCE65R540D引脚图/引脚功能

应用领域


•  功率因数校正(PFC)
•  开关电源(SMPS)
•  不间断电源供应(UPS)

NCE65R540D典型效率曲线


新洁能NCE65R540D典型应用效率

NCE65R540D相关方案
您可能想要了解
可替代产品
为您推荐品牌
张家港凯思 深圳宇阳 紫光微 进芯电子 博美BONNMEX 芯智汇 REALCHIP 重庆平伟 UTC 无锡铭芯微 联盛德 上海芯导
最近浏览
 
QQ在线咨询
全国服务热线
0755-83690011