NCE70G540D*参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET分立器件
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产品特性
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低FOM、抗静电能力、符合ROHS标准
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输入电压
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700V
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输出电压
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30V
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电位差
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80W
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超低内阻
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540mΩ
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输出电流
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8A
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精准性
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±2%/
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封装
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TO-263
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代换型号
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/
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NCE70G540D*概述
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的领先水平。
NCE70G540D*引脚图/引脚功能
NCE70G540D*典型应用电路图
NCE70G540D*应用领域
• 各类锂电池保护模块
• 手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理
• LED TV等消费类电子产品电源
• 电动交通工具控制器
• 不间断电源，逆变器和各类电力电源
• LED照明
