PN7106B参数
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制造商
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无锡芯朋微电子股份有限公司
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产品种类
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半桥驱动芯片
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产品特性
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高低侧栅驱动芯片
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异相位
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LO/HO in phase with LIN/HIN
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输入电压范围
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10V~20V
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最大电压
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600V
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电流
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400/900mA
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吨/关
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160&150ns
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封装
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SOIC8
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代换型号
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/
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PN7106B概述
PN7106B是一款基于P衬低、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作再600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构（版本B），或者其他高低侧结构（版本A）。该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
PN7106B引脚图/引脚功能
PN7106B型号典型应用电路图
PN7106B应用领域
• 中小型功率电机驱动
• 功率MOSFET或IGBT驱动
• 照明镇流器
• 半桥功率逆变器
• 全桥功率逆变器
• 任何互补型的驱动逆变器（非对称的半桥，有源钳位） 
