MEM2301参数
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制造商
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南京微盟电子有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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P沟道增强型功率MOSFET
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Vds（Max）-漏源极击穿电压
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-20V
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Id（Max）-连续漏极电流
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-2.8A
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Pd-功率耗散
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0.5W
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Vgs-栅源极击穿电压
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-8V
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Rds On-漏源导通电阻
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80mΩ
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封装
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SOT23/SOT23-3
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代换型号
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/
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MEM2301概述
MEM2301系列是一款P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
MEM2301引脚图/引脚功能
MEM2301典型效率曲线
应用领域
• 手机
• MID
• GPS
• DC/DC转换
• 负载开关
