MEM2301-N参数
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制造商
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南京微盟电子有限公司
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产品种类
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金属氧化层半导体场效应晶体管
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产品特性
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超大密度单元、极小的RDS(ON)
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模式
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P-channel
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漏源电压VDS
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-20V
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栅源电压VGS
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-12V
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漏极电流ID
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-3.1A
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超低内阻
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77mΩ
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封装
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SOT23
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代换型号
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/
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MEM2301-N概述
MEM2301-N系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2301-N这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301-N适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路，这种低损耗可采用小尺寸封装。
MEM2301-N引脚图/引脚功能
MEM2301-N应用领域
● 移动电话、手机
● MID
● GPS
● 直流/直流转换器
● 负荷开关
● 电源管理
● 电池保护
