MEM2309参数
|
制造商
|
南京微盟电子有限公司
|
|
产品种类
|
金属氧化层半导体场效应晶体管
|
|
产品特性
|
超大密度单元、极小的RDS(ON)
|
|
模式
|
P-channel
|
|
漏源电压VDS
|
-30V
|
|
栅源电压VGS
|
-20V
|
|
漏极电流ID
|
-6A
|
|
超低内阻
|
46mΩ
|
|
封装
|
SOP8/SOT89-3
|
|
代换型号
|
/
|
MEM2309概述
MEM2309系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2309这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2309适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2309引脚图/引脚功能
MEM2309应用领域
● 移动电话、手机
● MID
● GPS
● 直流/直流转换器
● 负荷开关
● 电源管理
● 电池保护
● 液晶显示逆变器
