BLM4435参数
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制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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p沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力
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模式
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P-channel
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漏源电压VDS
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-30V
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漏极电流ID
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-5.1A
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超低内阻
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48mΩ
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封装
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SOP8
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代换型号
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BLM4435概述
BLM4435使用先进的海沟技术来提供的优秀的RDS(上)、低门闸极电荷和操作电压4.5 v。
BLM4435引脚图/引脚功能
BLM4435典型应用电路图
BLM4435应用领域
● DC/DC转换
● 负荷开关
● TFT面板电源开关
