BLM8205B参数
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制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力
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模式
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Dual N-channel
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漏源电压VDS
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20V
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漏极电流ID
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6A
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超低内阻
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16mΩ
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封装
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TSSOP8
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代换型号
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/
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BLM8205B概述
BLM8205B使用先进的海沟技术提供优质的RDS(上),低闸极电荷和操作门电压2.5 v。本设备适用于作为电池保护或其他切换应用程序。
BLM8205B引脚图/引脚功能
BLM8205B典型应用电路图
BLM8205B应用领域
● 电池保护
● 负荷开关
● 电源管理 
