BLM9926参数
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制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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模式
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Dual N-channel
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漏源电压VDS
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20V
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漏极电流ID
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6A
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超低内阻
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26mΩ
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封装
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SOP8
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代换型号
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BLM9926概述
BLM9926使用先进的海沟技术和设计提供优秀的RDS门费用较低。它可以用在各种各样的应用程序。
BLM9926引脚图/引脚功能
BLM9926典型应用电路图
BLM9926应用领域
● 功率切换应用程序
● 硬切换和高频电路
● 不间断电源 
