BLM3400参数
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制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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模式
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N-channel
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漏源电压VDS
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30V
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漏极电流ID
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5.8A
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超低内阻
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28mΩ
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封装
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SOT23
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代换型号
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/
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BLM3400概述
BLM3400使用先进的海沟技术来提供的优秀的RDS(上)、低门闸极电荷和操作电压2.5 v。该设备适合使用电池保护或其他切换应用程序。
BLM3400引脚图/引脚功能
BLM3400典型应用电路图
BLM3400应用领域
● PWM程序
● 负荷开关
● 电源管理
