BLM7002K参数
制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力
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模式
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N-channel (ESD)
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漏源电压VDS
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60V
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漏极电流ID
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0.3A
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超低内阻
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1mΩ
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封装
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SOT23
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代换型号
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/
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BLM7002K概述
BLM7002K使用先进的海沟技术来提供的优秀的RDS(上)、低门闸极电荷和操作电压2.5 v。该设备适合使用电池保护或其他切换应用程序。
BLM7002K引脚图/引脚功能
BLM7002K典型应用电路图
BLM7002K应用领域
● 直接逻辑级接口:TTL / CMOS
● 司机:继电器、螺线管、灯、锤子、显示、记忆,晶体管等。
● 电池供电的系统
● 固态继电器