BLV108参数
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制造商
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上海贝岭股份有限公司
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产品种类
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金属氧化物半导体场效应管
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产品特性
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N沟纵向MOSSFET、N沟道增强型VDMOS
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模式
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N-channel
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漏源电压VDS
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200V
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栅源电压
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20V
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漏极电流ID
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300mA
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超低内阻
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5Ω
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封装
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TO-92
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代换型号
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BLV108概述
BLV108是上海贝岭一款金属氧化物半导体场效应管，N沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿 。
BLV108引脚图/引脚功能
BLV108典型应用电路图
BLV108应用领域
● 电话机电路
● 继电器电路
● 驱动电路等 
