HM2301B参数
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
P沟道沟道功率MOSFET |
沟道 |
P沟道 |
漏-源电压(最大) |
-20V |
栅-源电压 |
-12V |
栅源阈值电压(典型值) |
-0.7V |
漏极直流电流(最大值) |
-2.8A |
最大脉冲漏电流 |
-10A |
栅源通态电阻 |
83mΩ |
封装 |
SOT23 |
代换型号 |
Si2301/AP2301/XP152A/IRLML6402/AO3423 |
HM2301B概述
该HM2301B采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至-2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
HM2301B引脚图/引脚功能
![华之美HM2301B引脚图/引脚功能](http://www.icgu.com/file/upload/201511/27/16-09-58-13-1.jpg)
HM2301B典型应用电路图
![华之美HM2301B典型应用电路图](http://www.icgu.com/file/upload/201511/27/16-10-28-54-1.jpg)
应用领域
• 电池保护
• 负荷开关
• 电源管理
HM2301B典型效率曲线
![华之美HM2301B典型效率曲线](http://www.icgu.com/file/upload/201511/27/16-10-57-83-1.jpg)