HM3415E参数
|
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
|
沟道 |
P沟道 带ESD保护 |
|
漏-源电压（最大） |
-20V |
|
栅-源电压 |
-10V |
|
栅源阈值电压（典型值） |
-0.65V |
|
漏极直流电流（最大值） |
-4.0A |
|
最大脉冲漏电流 |
-30A |
|
栅源通态电阻 |
34mΩ |
|
封装 |
SOT23-3L |
|
代换型号 |
AO3415 |
HM3415E概述
该HM3415E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸电压低至as1.8V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。它是ESD抗议。
HM3415E引脚图/引脚功能
HM3415E典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
HM3415E典型效率曲线
