HM2319参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
P沟道 |
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漏-源电压（最大） |
-40V |
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栅-源电压 |
-20V |
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栅源阈值电压（典型值） |
-1.5V |
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漏极直流电流（最大值） |
-5.3A |
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最大脉冲漏电流 |
-20A |
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栅源通态电阻 |
73mΩ |
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封装 |
SOT23-3L |
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代换型号 |
Si2319 |
HM2319概述
该HM2319采用先进的沟道技术提供优异的RDS（ON），这个装置是适合用作一个负荷开关和电池保护的应用。
HM2319引脚图/引脚功能
HM2319典型应用电路图
应用领域
• 电池的应用
• 负荷开关
