HM4435参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
P沟道 |
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漏-源电压（最大） |
-30V |
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栅-源电压 |
-20V |
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栅源阈值电压（典型值） |
-1.5V |
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漏极直流电流（最大值） |
-9.1A |
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最大脉冲漏电流 |
-50A |
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栅源通态电阻 |
15mΩ |
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封装 |
SOP8 |
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代换型号 |
AO4435/AP4435/APM4435/Si4435/FDS4435 |
HM4435参数
该HM4435采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS，低栅极电荷和操作闸在电压低至4.5V。
HM4435引脚图/引脚功能
HM4435典型应用电路图
应用领域
• 电池开关
• 负荷开关
• 电源管理
HM4435典型效率曲线
