HM4485参数
|
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
|
沟道 |
P沟道 |
|
漏-源电压（最大） |
-40V |
|
栅-源电压 |
-20V |
|
栅源阈值电压（典型值） |
-2.0V |
|
漏极直流电流（最大值） |
-13A |
|
最大脉冲漏电流 |
-52A |
|
栅源通态电阻 |
30mΩ |
|
封装 |
SOP8 |
|
代换型号 |
AO4485/IRF7240 |
HM4485概述
该HM4485采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。
HM4485引脚图/引脚功能
HM4485典型应用电路图
应用领域
• 电源开关的应用
• 硬开关和高频电路
• DC-DC转换
HM4485典型效率曲线
