HM4441参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
P沟道 |
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漏-源电压（最大） |
-55V |
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栅-源电压 |
-20V |
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栅源阈值电压（典型值） |
-2.6V |
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漏极直流电流（最大值） |
-5A |
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最大脉冲漏电流 |
-25A |
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栅源通态电阻 |
64mΩ |
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封装 |
SOP8 |
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代换型号 |
AO4441/AO4421/AO4443 |
HM4441概述
该HM4441采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
HM4441引脚图/引脚功能
HM4441典型应用电路图
应用领域
• 电源开关的应用
• 硬开关和高频电路
• DC-DC转换器
HM4441典型效率曲线
