HM5853参数
|
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
功率MOSFET和肖特基二极管 |
|
沟道 |
P沟道 |
|
漏-源电压（最大） |
-22V |
|
栅-源电压 |
-8V |
|
栅源阈值电压（典型值） |
-0.69V |
|
漏极直流电流（最大值） |
-3A |
|
最大脉冲漏电流 |
-12A |
|
栅源通态电阻 |
110mΩ |
|
封装 |
DFN2*3-8 |
|
代换型号 |
Si5853/AON4703/NHPD4P02 |
HM5853概述
该HM5853采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。拥有一个MOSFET和肖特基二极管，独立的引脚排列，每个设备易于电路设计。
HM5853引脚图/引脚功能
应用领域
• 锂 - 离子电池充电
• 高端DC-DC转换电路
• 高侧驱动器的小型无刷直流电动机
• 便携式，电池电源管理
• 供电的产品
HM5853典型效率曲线
