HM16P12D参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
P沟道 |
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漏-源电压（最大） |
-12V |
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栅-源电压 |
-12V |
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栅源阈值电压（典型值） |
-0.7V |
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漏极直流电流（最大值） |
-16A |
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最大脉冲漏电流 |
-65A |
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栅源通态电阻 |
18mΩ |
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封装 |
DFN2*2-6 |
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代换型号 |
AON2701/AON2401/3/5/IRLHS2242 |
HM16P12D概述
该HM16P12D采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸电压。这装置适合于用作负载切换应用和多种其他应用。
HM16P12D引脚图/引脚功能
HM16P12D典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
• 蜂窝手机电池充电
HM16P12D典型效率曲线
