HM6801参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
双P沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
双P沟道 |
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漏-源电压（最大） |
-30V |
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栅-源电压 |
-20V |
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栅源阈值电压（典型值） |
-1V |
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漏极直流电流（最大值） |
-4.2A |
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最大脉冲漏电流 |
-30A |
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栅源通态电阻 |
50mΩ |
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封装 |
SOT23-6L |
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代换型号 |
AO6801/AO6801A |
HM6801概述
该HM4805采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS，低栅极电荷和操作闸在电压低至4.5V。
HM6801引脚图/引脚功能
HM6801典型应用电路图
应用领域
• 电池开关
• 负荷开关
• 电源管理
HM6801典型效率曲线
