HM2312/B参数
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
沟道 |
N沟道 |
漏-源电压(最大) |
20V |
栅-源电压 |
12V |
栅源阈值电压(典型值) |
0.65V |
漏极直流电流(最大值) |
4.5A |
最大脉冲漏电流 |
13.5A |
栅源通态电阻 |
22mΩ |
封装 |
SOT23/SOT23-3L |
代换型号 |
AP2312/SI2312/SI2300/AP2300 |
HM2312/B概述
该HM2312/B采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
HM2312/B引脚图/引脚功能
![HM2312/B引脚图/引脚功能](http://www.icgu.com/file/upload/201512/23/15-30-25-84-1.jpg)
HM2312/B典型应用电路图
![HM2312/B典型应用电路图](http://www.icgu.com/file/upload/201512/23/15-30-53-82-1.jpg)
应用领域
• 电池保护
• 负荷开关
• 电源管理
HM2312/B典型效率曲线
![HM2312/B典型效率曲线](http://www.icgu.com/file/upload/201512/23/15-31-17-66-1.jpg)