HM2312/B参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
N沟道 |
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漏-源电压（最大） |
20V |
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栅-源电压 |
12V |
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栅源阈值电压（典型值） |
0.65V |
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漏极直流电流（最大值） |
4.5A |
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最大脉冲漏电流 |
13.5A |
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栅源通态电阻 |
22mΩ |
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封装 |
SOT23/SOT23-3L |
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代换型号 |
AP2312/SI2312/SI2300/AP2300 |
HM2312/B概述
该HM2312/B采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
HM2312/B引脚图/引脚功能
HM2312/B典型应用电路图
应用领域
• 电池保护
• 负荷开关
• 电源管理
HM2312/B典型效率曲线
