HM3416E参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
N沟道带ESD保护 |
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漏-源电压（最大） |
20V |
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栅-源电压 |
12V |
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栅源阈值电压（典型值） |
0.7V |
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漏极直流电流（最大值） |
6.0A |
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最大脉冲漏电流 |
30A |
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栅源通态电阻 |
19mΩ |
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封装 |
SOT23-3L |
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代换型号 |
AO3416 |
HM3416E概述
该HM3416E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至1.8V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。
HM3416E引脚图/引脚功能
HM3416E典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
HM3416E典型效率曲线
