HM7002参数
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
沟道 |
P沟道 |
漏-源电压(最大) |
60V |
栅源阈值电压(典型值) |
3.0V |
漏极直流电流(最大值) |
0.2A |
栅源通态电阻 |
5Ω |
封装 |
TO92 |
代换型号 |
2N7000 |
HM7002引脚图/引脚功能

HM7002典型应用电路图

应用领域
• 直接逻辑电平接口:TTL/ CMOS
• 司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,显示器,
• 回忆,晶体管等。
• 电池供电系统
• 固态继电器
HM7002典型效率曲线
