HM2310参数
|
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
|
沟道 |
N沟道 |
|
漏-源电压（最大） |
60V |
|
栅-源电压 |
20V |
|
栅源阈值电压（典型值） |
1.4V |
|
漏极直流电流（最大值） |
3A |
|
最大脉冲漏电流 |
10A |
|
栅源通态电阻 |
105mΩ |
|
封装 |
SOT23-3L |
|
代换型号 |
AP2310GN/APM2360A/AO3422/IRFL014/UT3N06 |
HM2310概述
该HM2310采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
HM2310引脚图/引脚功能
HM2310典型应用电路图
应用领域
• 电池开关
• DC/ DC转换器
HM2310典型效率曲线
