18N60参数
|
制造商 |
台湾友顺科技集团公司 |
|
产品品牌 |
UTC |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力 |
|
漏源电压 |
600V |
|
门源电压 |
30V |
|
连续漏电流 |
18A |
|
功耗 |
360/395W |
|
储存温度 |
-55℃~+150℃ |
|
封装 |
TO-3P TO-247 |
|
代换型号 |
/ |
18N60概述
UTC 18N60使用UTC先进的专有的，平面条纹，DMOS技术，以提供优良的RDS（ON），低栅充电和操作具有低栅极电压。
18N60引脚图/引脚功能
18N60典型特征
