10N65K参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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10A，650V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、低CRSS、高开关速度
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电压VDSS
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650V
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电流ID
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10A
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电流IDM
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38A
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雪崩能力EAS
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300mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/ TO220F1/ TO262
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替换型号
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/
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10N65K概述
该UTC—10N65K是采用N沟道功率MOSFET UTC的先进的技术，为客户提供ON状态的最低电阻和出色的开关性能，改进dv/ dt能力等等。该UTC10N65K在高效率的DC普遍适用于DC转换器，PWM电机控制和桥式电路等。
10N65K引脚图/引脚功能
10N65K典型应用电路图
