UTT200N03参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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200A，30V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、快速切换、符合RoHS
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电压VDSS
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30V
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电流ID
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200A
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电流IDM
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800A
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雪崩能力EAS
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864mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO263
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替换型号
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/
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UTT200N03概述
UTC UTT200N03是采用N沟道MOSFET UTC的先进的技术，100％雪崩测试，高功率和电流处理能力。为客户提供ON状态的最低电阻和出色的开关性能。与UTC UTT200N03在直流通常施加到DC变换器或同步整流。
UTT200N03引脚图/引脚功能
UTT200N03典型应用电路图
