2N70Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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2A，700V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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700V
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电流ID
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2A
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电流IDM
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8A
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雪崩能力EAS
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140mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO251
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替换型号
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/
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2N70Z概述
2N70Z是UTC设计为具有高电压MOSFET更好的特性，如快速切换时间，改进的dv / dt能力，高耐用性，低栅极电荷低通态电阻和高耐用雪崩特点。这个功率MOSFET通常在高速交换使用电源供应器，PWM电机控制应用，高效DC到DC转换器和桥接电路。
2N70Z引脚图/引脚功能
2N70Z典型应用电路图
