12N06Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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12A，60V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、低栅极电荷
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电压VDSS
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60V
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电流ID
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12A
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电流IDM
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48A
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雪崩能力EAS
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140mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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/
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12N06Z概述
12N06Z是UTC一个N沟道增强型电源MOSFET使用UTC的先进技术，为客户提供以最小的通态电阻，高开关速度和低栅极电荷。
12N06Z引脚图/引脚功能
