18N65参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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18A，650V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
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电压VDSS
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650V
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电流ID
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18A
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电流IDM
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45A
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雪崩能力EAS
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1000mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO230/ TO247/ TO3P
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替换型号
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/
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18N65概述
UTC 18N65使用UTC先进的专有的，平面条形，DMOS技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作与低栅极电压，雪崩能量指定，改进的dv / dt能力，高耐用性。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。
18N65引脚图/引脚功能
