UTT10NP06参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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双增强模式(N沟道/ P沟道)
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产品特性
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高开关速度、低栅极电荷
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电压VDSS
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20V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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20A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252-4/ SOP-8
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替换型号
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/
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UTT10NP06概述
UTC UTT10NP06集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET,它使用UTC的先进技术,为客户提供最低通态电阻,高开关速度快,低栅极电荷和成本效益。该UTC UTT10NP06在低电压应用中普遍应用。