18N25参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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18A,250V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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250V
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电流ID
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18A
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电流IDM
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72A
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雪崩能力EAS
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945mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO263
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替换型号
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/
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18N25概述
18N25是UTC一个N沟道增强型电源UTC采用先进的平面条形和DMOS技术MOSFET提供完美的性能。该技术能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。它可以提供最低通态电阻和高开关速度。该器件采用有源功率因数校正一般应用和高效率的开关模式电源。