12N30参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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12A，300V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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300V
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电流ID
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12A
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电流IDM
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48A
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雪崩能力EAS
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300mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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/
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12N30概述
12N30是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，为客户提供平面条形和DMOS技术。这项技术专注于允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也可以承受在雪崩和减刑模式高能量脉冲。该UTC12N30是电子镇流器普遍应用基于半桥拓扑和高效率的开关模式电源。
12N30引脚图/引脚功能
12N30典型应用电路图
