4N60K参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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雪崩能力EAS
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100mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/ TO251/ TO252
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替换型号
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/
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4N60K概述
4N60K是UTC一种高电压功率MOSFET，并设计成具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，改进的dv / dt能力，高耐用性，低通态电阻和具有较高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用中，PWM马达控制，高效率的DC到DC转换器和桥电路。
4N60K引脚图/引脚功能
4N60K典型应用电路图
