39N20参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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39A,200V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、高开关速度
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电压VDSS
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200V
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电流ID
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39A
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电流IDM
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156A
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雪崩能力EAS
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860mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO247
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替换型号
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/
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39N20概述
39N20是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术,为客户提供最低通态电阻,低栅极电荷和高开关速度。该UTC39N20适用于高压同步整流和DC / DC转换器等。