2N60K参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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2A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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2A
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电流IDM
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8A
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雪崩能力EAS
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50mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/TO251/ TO252/TO92
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替换型号
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/
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2N60K概述
UTC 2N60K是一种高电压功率MOSFET，并设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷，低通态电阻，改进的dv / dt能力，高耐用性，具有较高的坚固雪崩特性。这个功率MOSFET通常在使用高速开关在电源应用中，PWM电机控制，高效率的DC到DC转换器和桥接电路。
2N60K引脚图/引脚功能
2N60K典型应用电路图
