UF3N30Z参数
|
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
|
产品种类
|
3A，300V N沟道功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高开关速度、低栅极电荷
|
|
电压VDSS
|
300V
|
|
电流ID
|
3A
|
|
电流IDM
|
12A
|
|
雪崩能力EAS
|
52mJ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO251/ TO251S/ TO252
|
|
替换型号
|
/
|
UF3N30Z概述
UF3N30Z是UTC一个N沟道增强型电源MOSFET使用UTC的先进技术，为客户提供以最小的导通状态电阻，100％雪崩测试，低栅极电荷和优越开关性能。
UF3N30Z引脚图/引脚功能
