2N60Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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2A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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2A
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电流IDM
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8A
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雪崩能力EAS
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140mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO251/ TO252
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替换型号
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/
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2N60Z概述
2N60Z是UTC一个高电压功率MOSFET和被设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅电荷，低通态电阻，改进的dv / dt能力，高耐用性,并具有高耐用雪崩特性。这个功率MOSFET通常在电源供应器，PWM马达控制，高效直流到直流转换器和桥接电路高速开关应用中使用。
2N60Z引脚图/引脚功能
2N60Z典型应用电路图
