4N30Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4A，300V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、低栅极电荷、增强的ESD能力
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电压VDSS
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300V
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电流ID
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4A
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雪崩能力EAS
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52mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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/
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4N30Z概述
4N30Z是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，为客户提供最低通态电阻，低栅极电荷和出色的开关性能。
4N30Z引脚图/引脚功能
