5N25Z参数
|
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
|
产品种类
|
3.8A，200V逻辑N沟道MOSFET
|
|
产品特性
|
低栅极电荷、低CRSS、高开关速度、ESD能力
|
|
电压VDSS
|
250V
|
|
电流ID
|
3.8A
|
|
电流IDM
|
9A
|
|
雪崩能力EAS
|
60mJ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO252
|
|
替换型号
|
/
|
5N25Z概述
5N25Z是UTC一个N沟道增强型MOSFET，它使用UTC的先进技术，为客户提供最低通态电阻，高开关速度和低栅极电荷。 它也能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。该UTC5N25Z适用于高效率开关DC / DC转换器，马达控制和开关模式电源。
5N25Z引脚图/引脚功能
5N25Z典型应用电路图
