UTT4N10参数
|
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
|
产品种类
|
3.5A，100V N沟道 沟槽MOS逻辑电平FET
|
|
产品特性
|
低栅极电荷
|
|
电压VDSS
|
100V
|
|
电流ID
|
3.5A
|
|
电流IDM
|
14A
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO252/ SOT223
|
|
替换型号
|
/
|
UTT4N10概述
UTT4N10是UTC一个N沟道沟槽MOS逻辑电平场效应管，它采用UTC的先进技术，为客户提供最低通态电阻和低门电荷。该UTC UTT4N10适用于消费电子，计算和通信等。
UTT4N10引脚图/引脚功能
