10N65T参数
|
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
|
产品种类
|
10A，650V N沟道功率MOSFET
|
|
产品特性
|
栅极电荷、低CRSS、快速切换、100％雪崩测试
|
|
电压VDSS
|
650V
|
|
电流ID
|
10A
|
|
电流IDM
|
38A
|
|
雪崩能力EAS
|
90mJ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO220/ TO220F1/ TO220F2
|
|
替换型号
|
/
|
10N65T概述
10N65T是UTC一种高电压，大电流电源的MOSFET，设计成具有更好的特性，如快速开关时间，改进dv/ dt能力，低门电荷，低通态电阻和高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用中，PWM马达控制，高效率的DC到DC转换器和桥电路。
10N65T引脚图/引脚功能
10N65T典型应用电路图
