11N80参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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11A，812V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、高开关速度
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电压VDSS
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800V
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电流ID
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11A
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电流IDM
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44A
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雪崩能力EAS
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551mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1/ TO220F2/ TO3P/ TO230
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替换型号
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/
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11N80概述
11N80是UTC一个N沟道功率MOSFET，它使用UTC的先进的技术，为客户提供ON状态的最低性，低栅极电荷和高开关速度。该UTC11N80是适合于高速开关应用电源供应器，PWM马达控制，高效直流到直流转换器和桥接电路。
11N80引脚图/引脚功能
11N80典型应用电路图
