20N50参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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20A,500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、低漏电流
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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20A
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电流IDM
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80A
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雪崩能力EAS
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960mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO247/ TO3P
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替换型号
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/
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20N50概述
20N50是UTC的一个N沟道MOSFET,它使用UTC的先进的技术,为客户提供最低通态电阻,高开关速度和低漏电流,等等该UTC20N50适用于开关稳压器的应用等。